[Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)

[Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)
- ¼±»ý´Ô±èµ¿¹Î
- ¼ö°±â°£30ÀÏ
- °ÀǼö30°
-
±³Àç¸í
±³¾È (¸¶ÀÌÆäÀÌÁö ³» PDFÆÄÀÏ Á¦°ø)

½±°í ºü¸£°Ô ÀÌÇØÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ Á÷¹«&¸éÁ¢ °ÀÇ! [Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)
¾à·Â
- (Çö) ÇØÄ¿½ºÀ⠹ݵµÃ¼ Àü°ø ÀüÀÓ°»ç
- (Çö) ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS Á÷¾÷±âÃÊ´É·Â ¹× Á÷¹«Àû¼º´É·Â ÀüÀÓ°»ç
- °ø°ø±â°ü ä¿ëÁ¤º¸ ¹Ú¶÷ȸ 2ȸ °ø½Ä Ãʺù°»ç
- ±ÝÀ¶±Ç °øµ¿Ã¤¿ë¹Ú¶÷ȸ 2ȸ NCS Á÷¾÷±âÃÊ´É·Â Ãʺù°»ç
- »ï¼ºÄÚ´× ±Ù¹«
- °æºÏ´ë, °æÈñ´ë, ¼°´ë, ¼º±Õ°ü´ë, ÀÎõ´ë, Áß¾Ó´ë, Çѱ¹¿Ü´ë µî
¡¡20¿© °³ ´ëÇÐ Ãë¾÷ Ư° ÁøÇà
<Àú¼>
- ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ PSAT ±âÃâ·Î ³¡³»´Â ¹®Á¦Çذá ÀÚ¿ø°ü¸® ÁýÁß °ø·«(2023)
- ´Ü±â ÇÕ°Ý ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÅëÇÕ ±âº»¼
¡¡Á÷¾÷±âÃÊ´É·ÂÆò°¡+Á÷¹«¼öÇà´É·ÂÆò°¡(2023)
- ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÅëÇÕ ºÀÅõ¸ðÀǰí»ç
¡¡¸ðµâÇü/ÇǵâÇü/PSATÇü+Àü°ø(2022)
- ÇØÄ¿½º ÇÑ ±ÇÀ¸·Î ³¡³»´Â °ø±â¾÷ ±âÃâ ÀϹݻó½Ä(2022)
À̰ø°è Àü¹®°¡

¼ö°´ë»ó
- ´ë±â¾÷ Àü°ø ½ÃÇèÀ» ÁغñÇϱâ À§ÇØ Àü·«ÀûÀ¸·Î ÁغñÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã ´ë±â¾÷ ÀԻ縦 ¸ñÇ¥·Î ÇϽô ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü¹ÝÀûÀÎ °³³äºÎÅÍ ½ÉȱîÁö Çѹø¿¡ ¹è¿ì°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ ¿ø¸®¸¦ ÅëÇØ ¾Ï±â°¡ ¾Æ´Ñ ºü¸£°í ½±°Ô Àü°ø Áö½ÄÀ» ½ÀµæÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
- Àü°ø Áö½ÄÀ» ¸éÁ¢¿¡ ÀÚ¿¬½º·´°Ô Ȱ¿ëÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» ¾Ë°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
- Àü·«Àû ±â¼ú¸éÁ¢ ½ºÅ³·Î ¿Ïº® ´ëºñÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
°ÀǸñÂ÷
°ÀǸí |
[ÀÔ¹®] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - »ê¾÷/°øÁ¤±âÃÊ | |||||
¸ñÂ÷ |
³»¿ë | ½Ã°£ | ||||
Á¦ 1 ° |
¹ÝµµÃ¼ ¼Ò°³ - ±âº» ¿ë¾î ¹× °³³ä / ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Á¤ÀÇ | 21ºÐ | ||||
Á¦ 2 ° |
¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ±¸Á¶¿Í ¹ÝµµÃ¼ ºÐ·ù | 21ºÐ | ||||
Á¦ 3 ° |
¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤°ú 3´ë ÁÖ¿ä °øÁ¤ÀÇ °³¿ä | 25ºÐ | ||||
°ÀǸí |
[±âº»] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - ¼ÒÀÚ/°øÁ¤ | |||||
¸ñÂ÷ |
³»¿ë | ½Ã°£ | ||||
Á¦ 1 ° |
[ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Energy band¿Í Fermi level | 41ºÐ | ||||
Á¦ 2 ° |
[ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Extrinsic semiconductor | 27ºÐ | ||||
Á¦ 3 ° |
[ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Current in semiconductor Á¾·ù, º¯È, ±¸Çϱâ | 27ºÐ | ||||
Á¦ 4 ° |
[ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] ½ÉÈ ÀÌ·Ð | 20ºÐ | ||||
Á¦ 5 ° |
[¼ÒÀÚ] p-n junction 1 : Depletion layer / Doping concentration¿¡ µû¸¥ º¯È | 20ºÐ | ||||
Á¦ 6 ° |
[¼ÒÀÚ] p-n junction 2 : ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È | 19ºÐ | ||||
Á¦ 7 ° |
[¼ÒÀÚ] p-n junction 3 : ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È (Àüü±¸°£) | 30ºÐ | ||||
Á¦ 8 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 1 : ±âº» ±¸Á¶ | 31ºÐ | ||||
Á¦ 9 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 2 : µ¿ÀÛ¿ø¸® | 22ºÐ | ||||
Á¦ 10 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 3 : ÃøÁ¤ | 25ºÐ | ||||
Á¦ 11 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 4 : Ư¼º ÀúÇÏ-1 | 20ºÐ | ||||
Á¦ 12 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 5 : Ư¼º ÀúÇÏ-2 | 33ºÐ | ||||
Á¦ 13 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSCAP : Ideal / Real | 28ºÐ | ||||
Á¦ 14 ° |
[¼ÒÀÚ] Memory : Flash memory / RAM | 37ºÐ | ||||
Á¦ 15 ° |
[°øÁ¤] 8´ë °øÁ¤ °³¿ä ¹× Oxidation & CMP | 22ºÐ | ||||
Á¦ 16 ° |
[°øÁ¤] Photolithography °øÁ¤ÀÇ °³¿ä / Photo Mask / ¼ø¼ ¹× ¼¼ºÎ ³»¿ë | 31ºÐ | ||||
Á¦ 17 ° |
[°øÁ¤] Doping & Plasma : Doping °øÁ¤ / Plasma | 29ºÐ | ||||
Á¦ 18 ° |
[°øÁ¤] Etching °øÁ¤°³¿ä, ºÐ·ù, Etch stop | 25ºÐ | ||||
Á¦ 19 ° |
[°øÁ¤] Thin film Deposition °øÁ¤ °³¿ä, ºÐ·ù | 34ºÐ | ||||
°ÀǸí |
[¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º | |||||
¸ñÂ÷ |
³»¿ë | ½Ã°£ | ||||
Á¦ 1 ° |
Energy band¿Í ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È | 23ºÐ | ||||
Á¦ 2 ° |
MOSFET (1) | 28ºÐ | ||||
Á¦ 3 ° |
MOSFET (2) | 21ºÐ | ||||
Á¦ 4 ° |
¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤ : °øÁ¤ È帧¿¡ µû¸¥ MOSFET Á¦ÀÛ °úÁ¤ | 17ºÐ | ||||
Á¦ 5 ° |
Photolithography °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë | 25ºÐ | ||||
Á¦ 6 ° |
Deposition °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë | 26ºÐ | ||||
Á¦ 7 ° |
Etching °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë / Plasma | 21ºÐ | ||||
Á¦ 8 ° |
Memory ¹ÝµµÃ¼ : NAND Flash / Ram | 22ºÐ |
¼ö°Èıâ
- ¼ö°·á
- 99,000¿ø
