[종합] 반도체 핵심 완성 (입문+기본+면접)
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[종합] 반도체 핵심 완성 (입문+기본+면접)

강의이미지

[종합] 반도체 핵심 완성 (입문+기본+면접)

  • 이공계
  • 이공계
  • 김동민
    • 선생님김동민
    • 수강기간30일
    • 강의수30강
    • 교재명
      교안 (마이페이지 내 PDF파일 제공)
    [종합] 반도체 핵심 완성 (입문+기본+면접)
    수강료 137,000원 99,000원 포인트990점

    쉽고 빠르게 이해하는 반도체 직무&면접 강의! [종합] 반도체 핵심 완성 (입문+기본+면접)

    김동민 선생님

    약력 (현) 해커스잡 이공계 대표 선생님
    (현) 해커스공기업 NCS 자원관리 선생님
    (전) 삼성 코닝 및 외국계 기업 제품 생산 · 품질관리 근무
    6-sigma, TRIZ 사내 강사
    인천대학교/경희대학교 NCS 강의

    해커스잡 대표
    이공계 전문가
    반도체가 쉬워진다! 정답이 보이는 반도체

    수강대상

    • 대기업 전공 시험을 준비하기 위해 전략적으로 준비하고 싶으신 분
    • 반도체 관련 대기업 입사를 목표로 하시는 분
    • 반도체의 전반적인 개념부터 심화까지 한번에 배우고 싶으신 분
    • 반도체 원리를 통해 암기가 아닌 빠르고 쉽게 전공 지식을 습득하고 싶으신 분
    • 전공 지식을 면접에 자연스럽게 활용하는 방법을 알고 싶으신 분
    • 전략적 기술면접 스킬로 완벽 대비하고 싶으신 분

    강의목차

    강의명
    [입문] 반도체 핵심 완성 - 산업/공정기초
    목차
    내용 시간
    제 1 강
    반도체 소개 - 기본 용어 및 개념 / 반도체의 정의 20분
    제 2 강
    반도체 산업의 구조와 반도체 분류 24분
    제 3 강
    반도체 8대 공정과 3대 주요 공정의 개요 24분
    강의명
    [기본] 반도체 핵심 완성 - 소자/공정
    목차
    내용 시간
    제 1 강
    [핵심이론] Energy band와 Fermi level 43분
    제 2 강
    [핵심이론] Extrinsic semiconductor 29분
    제 3 강
    [핵심이론] Current in semiconductor 종류, 변화, 구하기 24분
    제 4 강
    [핵심이론] 심화 이론 23분
    제 5 강
    [소자] p-n junction 1 : Depletion layer / Doping concentration에 따른 변화 23분
    제 6 강
    [소자] p-n junction 2 : 외부 전압에 따른 p-n junction의 변화 22분
    제 7 강
    [소자] p-n junction 3 : 외부 전압에 따른 p-n junction의 변화 (전체구간) 28분
    제 8 강
    [소자] MOSFET 1 : 기본 구조 32분
    제 9 강
    [소자] MOSFET 2 : 동작원리 26분
    제 10 강
    [소자] MOSFET 3 : 측정 29분
    제 11 강
    [소자] MOSFET 4 : 특성 저하-1 24분
    제 12 강
    [소자] MOSFET 5 : 특성 저하-2 31분
    제 13 강
    [소자] MOSCAP : Ideal / Real 28분
    제 14 강
    [소자] Memory : Flash memory / RAM 38분
    제 15 강
    [공정] 8대 공정 개요 및 Oxidation & CMP 24분
    제 16 강
    [공정] Photolithography 공정의 개요 / Photo Mask / 순서 및 세부 내용 31분
    제 17 강
    [공정] Doping & Plasma : Doping 공정 / Plasma 25분
    제 18 강
    [공정] Etching 공정개요, 분류, Etch stop 25분
    제 19 강
    [공정] Thin film Deposition 공정 개요, 분류 30분
    강의명
    [면접] 반도체 핵심 완성
    목차
    내용 시간
    제 1 강
    Energy band와 외부 전압에 따른 p-n junction의 변화 36분
    제 2 강
    MOSFET (1) 29분
    제 3 강
    MOSFET (2) 25분
    제 4 강
    반도체 8대 공정 : 공정 흐름에 따른 MOSFET 제작 과정 26분
    제 5 강
    Photolithography 공정 세부 내용 26분
    제 6 강
    Deposition 공정 세부 내용 31분
    제 7 강
    Etching 공정 세부 내용 / Plasma 31분
    제 8 강
    Memory 반도체 : NAND Flash / Ram 32분

    수강후기

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